[发明专利]一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻无效
申请号: | 201310346960.9 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103390475A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 娄文忠;丁旭冉;赵越;刘鹏;王辅辅 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01C10/50 | 分类号: | H01C10/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻,该电阻包括硅基底、可变电阻层、绝缘层和控制开关组层,通过接通控制开关组层中不同的控制电极来接通或断开可变电阻层中的导线,实现其阻值由大减小或由小增大的变化。本发明涉及半导体器件领域,解决了高动态环境下电阻实现实时可变的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mems 工艺 档位 高速 实时 可变 电阻 | ||
【主权项】:
一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻,其组成是:硅基底、可变电阻层、绝缘层、控制开关组层;其特征是:可变电阻层由若干条阻值互异的电阻线、输入电极和输出电极组成,各电阻线均经过不同控制开关的作用区;绝缘层用于保持可变电阻层与控制开关层绝缘;控制开关组层内的控制电极开关组由若干独立控制的换能元组成,一个换能元构成一个独立控制开关,各对控制电极开关可根据外部控制信号断开或接通可变电阻层某些电阻线,使所述一种基于MEMS工艺的多档位高速可变电阻的输入和输出端之间的阻值发生变化,该变化不可逆并且该阻值是非易失性的。
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