[发明专利]一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201310340263.2 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103400914A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;蒋利民;李刚 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、n型GaN层n1层、n型AlGaN层、n型GaN层n2层、n型GaN层LN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。其中n型GaN层LN层的生长步骤包括：先生长n型GaN层nGaN3-1层，接着生长n型AlGaN层，最后再生长n型GaN层nGaN3-2层。本发明外延结构及其生长方法，能够有效使得电流均匀扩展，提高外延层晶体质量，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 电流 扩展 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构，其特征在于，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、n型GaN层、n型GaN层n1层、n型AlGaN层、n型GaN层n2层、n型GaN层LN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310340263.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有轴向机械限位的凸轮控制器
- 下一篇：Φ3200变压器整套线圈压装压板
