[发明专利]氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶无效
| 申请号： | 201310337259.0 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103811611A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;今野泰一郎 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;李延虎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供与以往相比实现氮化镓结晶更低的错位化，能实现氮化镓结晶更高的品质化的氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶。一种氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10），其在蓝宝石基板（11）的C面上形成多个微小凸部（12），以朝向蓝宝石基板（11）的a轴方向距C面的角度为43.2度的面为基准面，距该基准面±10度以内的区域（13）占微小凸部（12）的表面积的5%以上的比例。一种氮化镓结晶的制造方法，其使氮化镓结晶（14）在该氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10）上生长。一种氮化镓结晶（14），其由该制造方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 结晶 生长 蓝宝石 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓结晶生长用蓝宝石基板，其在蓝宝石基板的C面上形成多个微小凸部，该氮化镓结晶生长用蓝宝石基板的特征在于，以朝向上述蓝宝石基板的a轴方向距C面的角度为43.2度的面为基准面，距该基准面±10度以内的区域占上述微小凸部的表面积的5%以上的比例。
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