[发明专利]一种原子层沉积设备有效
申请号: | 201310319730.3 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104342637B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 南建辉;宋巧丽;李强;王宝全;苏晓峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种原子层沉积设备,包括反应腔室和气源,反应腔室内包括设置在顶部的气体分配板、基盘和旋转驱动机构,基盘上表面与气体分配板的下表面相互叠置,且在二者之间形成有沿反应腔室的周向间隔且均匀分布多个子空间,多个子空间按工序的先后顺序排列,每个子空间用于对基片完成单次工艺中的其中一个工序;旋转驱动机构用于驱动基盘相对于气体分配板旋转,以使基盘带动置于其上的所有基片按工序的先后顺序依次置于各个子空间内进行工艺。本发明提供的原子层沉积设备,其可实现不同工序在同一时间加工多个基片,从而提高工艺效率,进而提高产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积设备,包括反应腔室和气源,其特征在于,所述反应腔室包括气体分配板、基盘和旋转驱动机构,其中:所述气体分配板设置在所述反应腔室内的顶部,用于对来自所述气源的气体向所述反应腔室内的各个区域流动的流量进行分配;所述基盘设置在所述反应腔室内,用以承载基片,且所述基盘的上表面与所述气体分配板的下表面相互叠置,且在二者之间形成有沿反应腔室的周向间隔且均匀分布的多个子空间,所述多个子空间按工序的先后顺序排列,每个所述子空间用于对基片完成单次工艺中的其中一个工序;所述旋转驱动机构,用于驱动所述基盘相对于所述气体分配板旋转,以使所述基盘带动置于其上的所有基片按工序的先后顺序依次置于各个所述子空间内进行工艺;所述反应腔室还包括升降驱动机构,所述升降驱动机构用于驱动所述基盘上升或者下降,以使所述基盘的上表面和所述气体分配板的下表面相互叠置或者分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310319730.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扫描手机MAC地址的公交车客流数据采集方法
- 下一篇:一种红外遥控器控制电路
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的