[发明专利]调整NVM单元编程/擦除操作的偏置条件以降低性能退化的方法和系统有效
| 申请号： | 201310316771.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103578544B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 穆复宸;王彦卓;何晨;理查德·K·埃吉基 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于调整非易失性存储器(NVM)单元的编程/擦除偏置条件以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储性能退化信息（130）和编程/擦除偏置条件信息（132）。所公开的实施例基于性能退化确定来调整NVM单元的编程/擦除偏置条件，性能退化确定例如基于温度的性能退化确定和基于临时验证的性能退化确定。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置条件 性能退化 编程 擦除 非易失性存储器 偏压发生器 擦除操作 产品寿命 存储电路 存储性能 降低性能 退化信息 系统实施 退化 验证 改进 | ||
【主权项】：
1.一种集成非易失性存储器(NVM)系统，包括：非易失性存储器(NVM)单元的阵列；偏压发生器电路，被配置为生成非易失性存储器(NVM)单元的偏压；控制器电路，被配置为基于与在达到预定数量的编程或擦除脉冲之后以及在达到最大数量的编程或擦除脉冲之前进行的编程操作或擦除操作中的至少一个有关的临时验证操作来确定所述非易失性存储器(NVM)系统的性能退化，并且基于所述临时验证操作的结果来调整由所述偏压发生器电路生成的偏压的至少一个电压水平，用于所述临时验证操作的临时验证水平是在默认擦除验证电压水平和默认编程验证电压水平之间的电压水平；其中所述控制器电路进一步被配置为在所述临时验证操作之后使用所述至少一个调整的电压水平继续所述非易失性存储器(NVM)系统的编程操作或擦除操作中的至少一个。
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