[发明专利]无结晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310299418.2 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299905B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种无结（junctionless）晶体管及其制造方法，制造方法包括提供基底，所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层；图形化所述第一半导体层，形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍；去除位于所述鳍下方的部分介质层，使所述鳍悬空于剩余介质层上；使所述鳍的表面平滑化，形成纳米线；对所述纳米线进行沟道离子掺杂，使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减；在掺杂后的纳米线上形成围栅结构；对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂，以形成源极和漏极。本发明能优化无结晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无结晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层；图形化所述第一半导体层，形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍；去除位于所述鳍下方的部分介质层，使所述鳍悬空于剩余介质层上；使所述鳍的表面平滑化，形成纳米线；对所述纳米线进行沟道离子掺杂，使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减；在掺杂后的纳米线上形成围栅结构；对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂，以形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
