[发明专利]一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201310296779.1 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN103320774A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 张宁;张涛;余新平;张至树;徐刚 申请(专利权)人: 北京四方继保自动化股份有限公司
主分类号: C23C18/00 分类号: C23C18/00;H01L31/18
代理公司: 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 代理人: 吴鸿维
地址: 100085 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法及装置,所述方法包括以下步骤:(1)清洗衬底并吹干;(2)安装衬底;(3)预热衬底;(4)配置溶液;(5)反应沉积;(6)后续处理:将镀膜衬底用去离子水冲洗,然后吹干或烘干。所述装置包括反应容器和恒温箱,漫淋槽、衬底、专用夹具和传输装置均置于恒温箱内,反应溶液流经加热器后注入漫淋槽,专用夹具与衬底底部设有传输装置。本发明不采用恒温水浴装置、搅拌装置和超声波辅助沉积,适于连续化生产,提高了生产效率并且对衬底仅单面镀膜,改善了衬底镀膜后的美观度,沉积的硫化镉薄膜均匀且致密,成膜质量高,满足薄膜太阳能电池缓冲层需要。
搜索关键词: 一种 化学 水浴 沉积 硫化 薄膜 方法 装置
【主权项】:
一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)清洗衬底:将衬底清洗干净,然后吹干;(2)安装衬底:将衬底置于夹具上,并将衬底与水平面之间的夹角设定在3°~60°之间;(3)预热衬底:将衬底通过恒温箱加热,将恒温箱内环境温度维持在55~90℃之间以预热衬底,使得预热后的衬底温度与设定的溶液反应温度之间的温差控制在±10℃以内;(4)配置溶液:将镉盐、氨水、缓冲剂、硫脲、去离子水按一定比例混合制成反应溶液,然后兑入反应容器中;(5)反应沉积:用水泵将反应溶液抽出,反应溶液流经加热器并被快速加热至反应温度60~85℃之间,采用漫淋方式使反应溶液在衬底上均匀铺展并持续流过,在化学反应的作用下,硫化镉薄膜生长至所需厚度,总的反应时间为10~50min;(6)后续处理:通过传输装置将夹具与镀膜衬底同时移至另一位置,采用去离子水冲洗,然后将清洗后的衬底移至干燥装置内进行吹干或烘干。
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