[发明专利]一种压接式绝缘型电力半导体模块的制造方法有效
| 申请号： | 201310295101.1 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103426782A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘秋林 | 申请（专利权）人： | 江苏晶中电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/68 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214299 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压接式绝缘型电力半导体模块的制造方法，采用DCB陶瓷片作为绝缘陶瓷片，首先在DCB陶瓷片的上下两面都直接键合铜，形成无氧铜层；然后在255~265℃的温度下将DCB陶瓷片与共用电极焊接成一体；焊完后清洗，在共用电极下表面未焊接的区域涂上绝缘胶，固化后若绝缘电压≥2500V，进行模块进一步的制造；将电力半导体芯片与模块中共用电极以上的结构依次的进行两两结构的直接压接；最后将加工好的DCB陶瓷片的下表面直接压接在模块的铜底板上，再对组装完成的模块进行一次整体性的灌封绝缘胶，再一次固化后，该模块即可待用。本发明提高了成品合格率，增强了导热和绝缘效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 绝缘 电力 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压接式绝缘型电力半导体模块的制造方法，采用DCB陶瓷片（2）作为绝缘陶瓷片，其特征是：包括如下步骤，1）首先在DCB陶瓷片的上下两面都直接键合铜，形成无氧铜层（3）；2）然后在255~265℃的温度下用专用焊膏和定位卡具将加工好的DCB陶瓷片与共用电极（1）焊接成一体；焊完后，将其清洗干净，在共用电极下表面未焊接的区域涂上绝缘胶，待其固化后测量共用电极与DCB陶瓷片下表面之间的绝缘电压，若绝缘电压≥2500V，则该模块直接可以待用，不达标的进行余下步骤；3）再按照现有压接式绝缘型电力半导体模块的制造方法将电力半导体芯片与模块中共用电极以上的结构依次的进行两两结构的直接压接；4）当共用电极以上部分都压接完成后，最后将加工好的DCB陶瓷片的下表面直接压接在模块的铜底板（4）上，再对组装完成的模块进行一次整体性的灌封绝缘胶，再一次固化后，该模块即可待用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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