[发明专利]薄膜晶体管及用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶有效
| 申请号： | 201310272148.6 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103531638A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 朴在佑;李伦圭;金度贤;金东朝;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;全祐奭 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;李云霞 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管以及一种用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶。薄膜晶体管包括金属电极和阻挡物质从金属电极扩散出来的氧化锌基阻挡膜。氧化锌基阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基溅射靶的1%到50%。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 用于 氧化锌 溅射 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：金属电极；氧化锌基阻挡膜，阻挡物质扩散到金属电极外部，其中，氧化锌基阻挡膜包括掺杂有氧化铟的氧化锌，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。
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