[发明专利]检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法有效
| 申请号： | 201310264868.8 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346106A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法，通过薄膜沉积工艺后，对采用不同条件光刻工艺制备的光刻胶，进行真空处理后，检测光刻胶上有没有缺陷，进而判断出该光刻工艺与之前的薄膜沉积工艺之间的契合度的范围，以对该光刻工艺进行工艺窗口的优化，进而提高产品的形成和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 光刻 工艺 薄膜 沉积 契合 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法，应用于工艺窗口的优化工艺中，其特征在于，包括以下步骤：于半导体衬底上采用薄膜沉积工艺制备SiN薄膜；继续采用光刻工艺于所述SiN薄膜上旋涂一光刻胶层；对所述光刻胶层进行真空处理工艺；继续光刻胶缺陷检测工艺，若检测到光刻胶层不具有缺陷，则所述光刻工艺与所述薄膜沉积工艺的契合度大于真空度系数；若检测到光刻胶层具有缺陷，则所述光刻工艺与所述薄膜沉积工艺的契合度小于真空度系数；其中，所述真空度系数等于标准气压值除以所述真空处理工艺的气压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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