[发明专利]检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法

摘要

本发明涉及一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，所述方法包括以下步骤：提供一待检测的晶圆，所述待检测的晶圆上包括多晶硅栅极和接触孔；采用电子束缺陷扫描仪在正负载条件下对所述晶圆进行漏电缺陷检测，获取若干第一漏电接触孔的位置；采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对所述晶圆进行漏电缺陷检测，获取若干第二漏电接触孔的位置；在若干第一漏电接触孔与若干第二漏电接触孔中获取由多晶硅所连接的第一漏电接触孔和第二漏电接触孔，所述第一漏电接触孔与所述第二漏电接触孔与其底部的所述多晶硅存在对准偏差。

主权项

一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一设置有若干多晶硅栅极和若干接触孔的待测晶圆及每个多晶硅栅极与相应的接触孔连接的设计规则；对所述晶圆进行第一漏电缺陷检测，获取若干第一漏电接触孔的位置；继续对所述晶圆进行第二漏电缺陷检测，获取若干第二漏电接触孔的位置；根据所述设计规则，若在同一多晶硅栅极上同时连接第一漏电缺陷接触孔和第二漏电缺陷接触孔，则所述多晶硅栅极与所述第一漏电缺陷接触孔和所述第二漏电缺陷接触孔之间存在对准度的偏差。