[发明专利]光刻返工刻蚀工艺

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光刻返工刻蚀工艺。本发明公开了一种光刻返工刻蚀工艺，通过在一个刻蚀工艺制程中，依次去除需要返工的光刻胶和非氮底部抗反射层后，再次沉积新的非氮底部抗反射层，并继续涂覆光刻胶进行后续的光刻工艺，以完成光刻返工工艺，这样就在进行光刻工艺时就不用为了防止后续光刻返工时影响非氮底部抗反射层的光学参数或其表面性质，而在非氮底部抗反射层上制备保护层，进而简化了整个光刻工艺的流程；同时，采用本方法使得经过光刻返工的制品在后的光刻过程中精度保持不变，进而提高了产品的性能和良率。

主权项

一种光刻返工刻蚀工艺，应用于需要进行光刻返工的半导体堆叠结构上，所述半导体堆叠结构包括衬底、先进图膜、非氮底部抗反射层和光刻胶，所述先进图膜覆盖所述衬底的表面，所述非氮底部抗反射层覆盖所述先进图膜的表面，所述光刻胶位于所述非氮底部抗反射层的表面，其特征在于，所述刻蚀工艺包括以下步骤：在一个刻蚀工艺制程中，依次去除所述光刻胶和所述非氮底部抗反射层；沉积新的底部抗反射层覆盖所述先进图膜的表面；涂覆光刻胶覆盖所述新的底部抗反射层；继续后续的光刻工艺。