[发明专利]一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法有效
| 申请号： | 201310248885.2 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103361731A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;顾海泉;明亮;张兆玉;钟根香 | 申请（专利权）人： | 东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法，包括镓的前期处理，盛镓硅原料的处理和镓的放置，其中盛镓硅原料的处理包括在至少部分硅原料上打孔，镓的放置为将镓置于硅原料的孔中，且在装料时将装有镓的硅原料设置在总装料高度的2/3以下位置。通过本发明中的方法，能够有效的减少晶体生长过程中镓的挥发，从而精确控制电阻率范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 金属 使用方法 | ||
【主权项】：
一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法，其特征是：包括镓的前期处理，盛镓硅原料的处理和镓的放置，其中盛镓硅原料的处理包括在至少部分硅原料上打孔，镓的放置为将镓置于硅原料的孔中，且在装料时将装有镓的硅原料设置在总装料高度的2/3以下位置。
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