[发明专利]铜氧化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310240880.5 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103346230A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾文;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用铜氧化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜氧化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜氧化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜氧化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 氧化锌 复合 透明 电极 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜氧化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管，包括蓝宝石衬底（1）、缓冲层（2）、n型氮化镓（3）、量子阱（4）、p型氮化镓（5）、铜氧化物薄膜（6）、氧化锌基透明电流扩展层（7）、p型金属电极（8）和n型金属电极（9）；其特征在于，所述缓冲层（2）、n型氮化镓（3）、量子阱（4）、p型氮化镓（5）是在MOCVD中从蓝宝石衬底（1）上依次生长；所述的铜氧化物薄膜（6）沉积在p型氮化镓（5）的表面；所述氧化锌基透明电流扩展层（7）沉积在铜氧化物薄膜（6）上；所述n型金属电极（9）连接n型氮化镓（3），所述p型金属电极（8）连接氧化锌基透明电流扩展层（7）。
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