[发明专利]操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统有效
| 申请号： | 201310206487.4 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456361B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李知尚;金武星;崔奇焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王艳娇,王秀君 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性 存储 装置 方法 集成电路 存储系统 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储装置的方法，包括：通过读取在编程操作期间验证的非易失性存储装置中的第一多个多位非易失性存储单元和位线强迫位数据，来检测在用于对第一多个多位非易失性存储单元的部分进行编程的编程操作期间产生的差错，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的任意的多位非易失性存储单元是否包含错误的数据，将存储在与第一多个多位非易失性存储单元相应的数据锁存器中的目标数据输出到外部的存储器控制器；通过所述存储器控制器校正目标数据中的差错；其中，位线强迫位数据指示是否执行位线强迫操作。
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