[发明专利]相变存储器的写处理方法及装置有效
| 申请号： | 201310180969.7 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103310836B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李延松 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变存储器的写处理方法及装置,通过相变存储器在接收到写请求时，根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述写请求中包括的地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述写请求中包括的待写入数据与读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中。由于从第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值所需的时间比较短，大大缩短了从读数据到写数据的切换时间，使得读数据与写数据可以在同时完成，不仅可以应用于同步接口的相变存储器，也可以应用于异步接口的相变存储器，提高相变存储器的应用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的写处理方法，其特征在于，包括：接收写请求，所述写请求中包括地址信息和待写入数据；根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述待写入数据与所述地址信息对应的存储单元中读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中，所述写脉冲用于将相变材料加热，并将所述待写入数据直接写入所述存储单元中；若确定所述待写入数据与所述地址信息对应的存储单元中读取的数据相同，则不产生写脉冲，以减少所述相变材料加热的次数。
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