[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201310176072.7 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103227209A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 薛景峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一U形沟道，第一U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二U形沟道，第二U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二U形沟道的底部宽度大于第一U形沟道的底部宽度。本发明还公开了一种具有该薄膜晶体管的阵列基板和该阵列基板的制造方法。通过上述方式，本发明能够避免因薄膜晶体管U形沟道底部残留清洗液所导致的源极与漏极短路。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一U形沟道，所述第一U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二U形沟道，所述第二U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。
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