[发明专利]显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310175302.8 申请日: 2013-05-13
公开(公告)号: CN103296058A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 周政伟;胡晋玮;王立仁;廖子毅 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成,不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外,薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接,而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极,因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法
【主权项】:
一种制作显示面板的方法,其特征在于,包括:提供一基板,该基板具有一像素区、一第一薄膜晶体管区以及一储存电容区;于该基板上形成一图案化半导体层,该图案化半导体层包括:一第一半导体图案,设置于该第一薄膜晶体管区内;以及一储存电容下电极,设置于该储存电容区内;于该基板上形成一绝缘层,其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层;于该绝缘层上形成一第一图案化导电层,其中该第一图案化导电层包括:一第一栅极,设置于该第一薄膜晶体管区内,其中该第一栅极部分暴露出该第一半导体图案;以及一转接电极,设置于该像素区内;进行一第一离子注入制造工程,以于该第一栅极所暴露出的该第一半导体图案中形成一第一掺杂区以及一第二掺杂区,以及对该储存电容下电极进行掺杂;于该绝缘层上形成一第二图案化导电层,其中该第二图案化导电层包括:一储存电容上电极,设置于该储存电容区内并与该储存电容下电极至少部分重叠;以及一像素电极,设置于该像素区内,其中一部分的该像素电极位于该绝缘层的表面,而另一部分的该像素电极位于该转接电极的表面;于该绝缘层上形成一介电层,并于该介电层与该绝缘层中形成一第一开口暴露出该第一掺杂区以及一第二开口暴露出该第二掺杂区,以及于该介电层中形成一第三开口暴露出该转接电极;于该介电层上形成一第三图案化导电层,其中该第三图案化导电层包括:一第一源极,填入该第一开口并与该第一掺杂区电性连接;以及一第一漏极,填入该第二开口并与该第二掺杂区电性连接以及填入该第三开口并与该转接电极电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310175302.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top