[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201310175302.8 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103296058A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 周政伟;胡晋玮;王立仁;廖子毅 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括转接电极。转接电极与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成,不需利用额外图案化制造工程加以制作。此外,薄膜晶体管的漏极经由介电层的开口与转接电极接触并进而与像素电极电性连接,而于蚀刻介电层时不会暴露出像素电极,因此可避免像素电极于蚀刻介电层时受到损伤。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作显示面板的方法,其特征在于,包括:提供一基板,该基板具有一像素区、一第一薄膜晶体管区以及一储存电容区;于该基板上形成一图案化半导体层,该图案化半导体层包括:一第一半导体图案,设置于该第一薄膜晶体管区内;以及一储存电容下电极,设置于该储存电容区内;于该基板上形成一绝缘层,其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层;于该绝缘层上形成一第一图案化导电层,其中该第一图案化导电层包括:一第一栅极,设置于该第一薄膜晶体管区内,其中该第一栅极部分暴露出该第一半导体图案;以及一转接电极,设置于该像素区内;进行一第一离子注入制造工程,以于该第一栅极所暴露出的该第一半导体图案中形成一第一掺杂区以及一第二掺杂区,以及对该储存电容下电极进行掺杂;于该绝缘层上形成一第二图案化导电层,其中该第二图案化导电层包括:一储存电容上电极,设置于该储存电容区内并与该储存电容下电极至少部分重叠;以及一像素电极,设置于该像素区内,其中一部分的该像素电极位于该绝缘层的表面,而另一部分的该像素电极位于该转接电极的表面;于该绝缘层上形成一介电层,并于该介电层与该绝缘层中形成一第一开口暴露出该第一掺杂区以及一第二开口暴露出该第二掺杂区,以及于该介电层中形成一第三开口暴露出该转接电极;于该介电层上形成一第三图案化导电层,其中该第三图案化导电层包括:一第一源极,填入该第一开口并与该第一掺杂区电性连接;以及一第一漏极,填入该第二开口并与该第二掺杂区电性连接以及填入该第三开口并与该转接电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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