[发明专利]带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种带有底部金属基座的半导体器件及其制备方法。提供包含多个金属基座的引线框架，在每个金属基座的正面粘贴一个正面覆盖有顶部塑封层和背面覆盖有背部金属层的晶片，将各金属基座、连接部、带有顶部塑封层与背部金属层的晶片予以包覆的塑封体，对塑封体和连接部实施切割，以将塑封体、各金属基座及各带有顶部塑封层与背部金属层的晶片分离成多个单独的半导体器件。

主权项

一种带有底部金属基座的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包含多个金属基座的一引线框架，相邻的金属基座通过一个或多个连接部相互连接，每个连接部均包括其背面设置的以沿着远离该背面的方向延伸的支撑部，所有支撑部的端面均共面；在每个金属基座的正面粘贴一个正面覆盖有顶部塑封层和背面覆盖有背部金属层的晶片，且所述背部金属层粘贴至金属基座的正面；形成将各金属基座、连接部、带有顶部塑封层与背部金属层的晶片予以包覆的塑封体，其包覆方式为使顶部塑封层的上表面、支撑部的端面从塑封体中外露；对相邻金属基座之间的叠层实施切割，该叠层包括塑封体和连接部，以将塑封体、各金属基座及各带有顶部塑封层与背部金属层的晶片分离成多个单独的半导体器件。