[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法，包括预沉积、去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层和推进三个步骤，其中：通过预沉积，在p型硅片表面形成一层磷硅玻璃和磷含量低的n+型发射极；再通过化学腐蚀的方法，将需轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除；最后通过高温推进，去除磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子再分布，实现轻掺杂，而保留磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子继续推进，实现重掺杂，从而形成选择性发射极结构。本发明通过化学腐蚀只将轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除，而不破坏发射极，易于控制，而且保证发射极的均匀性好，形成的选择性发射极结构完美，有利于稳定获得效率高的选择性发射极电池。

主权项

一种晶体硅选择性发射极的实现方法，其特征是所述方法包括预沉积，去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层和推进三个步骤，其中：预沉积：在一定的温度条件下，在POCl3、O2和N2混合气体的氛围中，使已清洗制绒的p型硅片表面形成一定厚度的磷硅玻璃层和磷含量低的n+型层发射极；去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层：依据选择性发射极结构设计，通过化学腐蚀的方法，将完成预沉积的硅片中需轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除；推进：在较高的温度条件下，将已去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层的硅片置于N2单一气体或O2和N2混合气体的氛围中，去除磷硅玻璃层区域在没有磷源补充的情况下，进行磷原子再分布，实现轻掺杂；保留磷硅玻璃层区域以磷硅玻璃层为磷源，继续进行磷原子的扩散，实现重掺杂。