[发明专利]分段沟道晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310093703.9 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104064466B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分段沟道晶体管及其形成方法，所述分段沟道晶体管的形成方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一介质层；图形化所述第一介质层，形成第一开口，所述第一开口暴露出半导体衬底的部分表面；在所述第一开口内和部分第一介质层表面形成上大下小的外延层，所述外延层填充满第一开口并覆盖第一开口两侧的部分第一介质层，并且相邻的外延层之间具有第二开口；形成横跨所述第一介质层和外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧的外延层和半导体衬底内形成源极和漏极。所述分段沟道晶体管的形成方法能够提高分段沟道晶体管的有效沟道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 分段 沟道 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种分段沟道晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一介质层；图形化所述第一介质层，形成若干第一开口，所述第一开口暴露出半导体衬底的部分表面；在所述第一开口内和部分第一介质层表面形成上大下小的外延层，所述外延层填充满第一开口并覆盖第一开口两侧的部分第一介质层，所述外延层的顶面宽度大于第一开口的宽度，并且相邻的外延层之间具有第二开口；形成横跨并覆盖所述第一介质层和外延层的栅极结构；在所述栅极结构两侧的外延层和半导体衬底内形成源极和漏极；还包括在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面低于所述外延层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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