[发明专利]CMOS图像传感器的有源像素及CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201310092489.5 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103139497B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;唐冕;陈杰;刘志碧;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/359 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的有源像素，至少包括置于半导体基体中的感光元件，连接感光元件的复位晶体管和源跟随晶体管，开关晶体管和列位线。本发明的图像传感器像素感光元件包含两个感光区低剂量杂质离子注入区和靠近复位晶体管的高剂量杂质离子注入区；低照明时，感光元件内产生的光电电荷仅在高剂量杂质离子注入区收集，光电转换增益高，传感器的灵敏度高；高照明时，感光元件内产生的光电电荷在整个感光元件内收集。因此，本发明的有源像素有效提高了低照明时图像传感器的感光灵敏度，传感器采集到低照明时更多实物细节信息。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 有源 像素 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的有源像素，包括：置于半导体基体中的感光元件，连接所述感光元件的复位晶体管、源跟随晶体管、开关晶体管和列位线，其特征在于，所述感光元件具有两个感光区：低剂量杂质离子注入区以及与复位晶体管相邻的高剂量杂质离子注入区；所述低剂量杂质离子注入区注入的低剂量杂质离子注入量最大值以能够被完全耗尽为准；所述高剂量杂质离子注入区的高剂量杂质离子注入量的最小值以不能够被完全耗尽为准；所述连接所述感光元件与源跟随晶体管的栅极的接触孔位于所述感光元件的高剂量杂质离子注入区；像素尺寸小于6.0um时，所述低剂量杂质离子注入区的杂质离子注入剂量大于1E+12个/cm2且小于1E+13个/cm2，所述高剂量杂质离子注入区的高剂量杂质离子注入量大于1E+14个/cm2且小于1E+15个/cm2。
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