[发明专利]抑制热簇集的半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件的方法与抑制热簇集的方法

摘要

一种抑制热簇集的半导体结构，包括具有第一掺质浓度的基材、位于基材上并直接接触基材的磊晶层，其具有小于第一掺质浓度的第二掺质浓度、位于磊晶层中的掺质梯度区，其具有从基材向磊晶层渐减的掺质梯度、与位于第一元件区以及第二元件区间的浅沟渠隔离区以及包围浅沟渠隔离的浅沟渠隔离区。浅沟渠隔离区实质上邻近掺质梯度区，以抑制第一元件区影响第二元件区所形成的热簇集。

主权项

一种半导体元件的制作方法，包括：形成磊晶层而直接接触基材；在形成所述磊晶层后进行热步骤，以形成掺质梯度区于所述磊晶层中，且所述掺质梯度区具有从所述基材向所述磊晶层方向渐减的掺质梯度；在形成所述掺质梯度区后进行至少一元件步骤，而形成位于所述磊晶层中的复数个元件区，其中所述复数个元件区包括：第一元件区以及第二元件区；以及浅沟渠隔离区，其位于所述第一元件区以及所述第二元件区之间，并包括浅沟渠隔离以及包围所述浅沟渠隔离的隔离掺杂区，使得所述隔离掺杂区实质上接近所述掺质梯度区。