[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板有效
| 申请号： | 201310089718.8 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103199112B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张文余;谢振宇;李婧;田宗民 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，用以减TFT导电沟道的长度，提高TFT的导通电流和TFT特性，进而提高显示效果。本发明实施例提供的一种阵列基板，包括矩阵排列的像素单元，包括矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、导电沟道、源极和漏极，其中，所述像素电极延伸至薄膜晶体管区域，并且延伸至薄膜晶体管区域的像素电极部分覆盖漏极下方的欧姆接触层，部分形成在栅绝缘层上；所述导电沟道的长度小于源极和漏极之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极和导电沟道，其特征在于，所述像素电极延伸至薄膜晶体管区域，并且延伸至薄膜晶体管区域的像素电极部分覆盖漏极下方的欧姆接触层，部分形成在栅绝缘层上；其中，所述漏极下方的欧姆接触层覆盖部分所述源极和漏极之间的有源层；延伸至所述源极和漏极之间的像素电极的边缘与延伸至所述源极和漏极之间的欧姆接触层的边缘重叠；所述导电沟道的长度小于源极和漏极之间的距离。
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