[发明专利]相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201310078726.2 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103151702A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周亚亭;王刚;朱红 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/12;H01S5/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置，由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅，两个侧边区的电极用导线连接在一起，且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小，来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下，改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下，既保证了激光器单模激射的实现，也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便，在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 控制 dfb 半导体激光器 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相移电控制DFB半导体激光器装置，所述相移电控制DFB半导体激光器装置由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅，其特征在于：两个侧边区的电极用导线连接在一起，且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相电隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州工学院，未经常州工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310078726.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
