[发明专利]一种芯片钝化层去除方法

摘要

本发明涉及一种芯片钝化层去除方法，包括以下步骤：获得芯片钝化层成分及厚度；对芯片以外的其他器件区域进行保护；判断芯片最表面钝化层的成分；将处理后的芯片重新通过光学显微镜或能谱仪进行检查，查看芯片表面是否还有钝化层及其成分；如果还有钝化层，则重复上述步骤进行处理，最后清洗芯片；本发明综合考虑了不同成分钝化层的去除方式不同，有针对性地采用了不同的方法来去除芯片钝化层，使得芯片钝化层去除效果良好，能达到对各种钝化层材料及组合材料的去除都适宜。

主权项

一种芯片钝化层去除方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，获得芯片钝化层成分及厚度；通过光学显微镜或能谱仪对芯片的键合区进行检查，首先获得芯片最表面钝化层的成分，其次根据键合区与周围区域的颜色和反光差异，获得键合区的钝化层材料的厚度；步骤二，对芯片以外的其他器件区域进行保护；采用化学性质稳定，不受刻蚀或腐蚀影响的薄膜材料覆盖芯片以外的其他器件区域；步骤三，判断芯片最表面钝化层的成分，如果为SiO2，SiNx或磷硅玻璃成分，则采用RIE干法刻蚀对芯片进行处理；如果为聚酰亚胺成分，则采用酸液湿法腐蚀法或高能激光刻蚀法对芯片进行处理；步骤四，将经步骤三处理后的芯片重新通过光学显微镜或能谱仪进行检查，查看芯片表面是否还有钝化层及其成分；如果还有钝化层，则重复步骤二和三进行处理； 步骤五，清洗芯片；采用有机溶剂对器件芯片进行清洗。