[发明专利]一种PMOS管的掺杂方法无效
| 申请号： | 201310064837.8 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103177942A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吕燕翔;居勤坤;史仁龙;万传友;彭芳美;周国忠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市虹翔机械制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 朱戈胜 |
| 地址： | 213351 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PMOS管的掺杂方法，通过采用第一次离子注入和第二次离子注入交替进行，并且通过硬质掩模层的遮挡，从而在无需旋转衬底的情况下完成对衬底的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS管的掺杂方法包括如下步骤：（1）．在P型半导体衬底上通过杂质扩散的方法形成N型阱；（2）．在N型阱的表面上形成栅氧化层后，在栅氧化层上淀积硬质掩模层；（3）．漏区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成α的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对漏区进行掺杂，而源区无离子注入；（4）．源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成（90°+α）的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对源区进行掺杂，而漏区无离子注入；（5）．漏区的第二次离子注入：重复步骤（3），直至漏区完成全部剂量的掺杂；（6）．源区的第二次离子注入：重复步骤（4），直至源区完成全部剂量的掺杂；（7）．对完成掺杂后的PMOS管进行进行退火，以激活掺杂杂质。
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