[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310053700.2 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103107135A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 魏小丹;张兴强;陆忠;张同局 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，其中，所述阵列基板的制作方法包括：在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。本发明的方案可以局部减小平坦化层的厚度，从而减少过孔形成所需要的曝光能量，进一步增加曝光时的曝光速度，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于阵列基板的平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
