[发明专利]制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件有效
| 申请号： | 201310049111.7 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103258785A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 井上尚也;田上政由 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件。通过经由CVD在半导体衬底上沉积烷基化的环状硅氧烷前体而制造具有高弹性模量的低k多孔绝缘膜。在CVD期间或在所沉积的膜上原位进行CVD的等离子体增强。在受控的温度和时间条件下进行膜的UV固化，其在相邻环部分之间产生紧密键合结构而不破坏Si-O环键合。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多孔 绝缘 方法 包含 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造多孔绝缘膜的方法，其包括：通过经由CVD沉积具有至少一个烃侧链的至少一种环状硅氧烷化合物而在半导体衬底上形成前体层；和通过在如下条件下将绝缘膜暴露于UV能量从而将所述前体层转化成多孔绝缘膜，该条件使得所述至少一种环状硅氧烷化合物的相邻分子经由烃基而键合，并且所述多孔绝缘膜具有大于5GPa的通过纳米压痕仪测量的弹性模量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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