[发明专利]多栅鳍式场效应管的制备方法有效
| 申请号： | 201310046136.1 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103117227A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵静 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种多栅鳍式场效应管FinFET的制备方法，包括：在衬底上形成沟道层和栅介质层；在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层形成至少一个鳍条；沿至少一个鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；在所述衬底上形成栅极层，对栅极层进行平坦化处理以露出第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉第一保护层，以形成栅极；在所述衬底上形成源漏极。本发明实施例通过采用外延工艺和刻蚀工艺形成FinFET的栅极，实现栅极与鳍条沿长度方向的中心位置对齐，解决漏源之间的串联电阻不平衡的问题，保证FinFET的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅鳍式 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成沟道层和栅介质层；在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层，形成至少一个鳍条；沿所述至少一个鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；在所述衬底上形成栅极层，对所述栅极层进行平坦化处理以露出所述第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一保护层，以形成栅极；在所述衬底上形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
