[发明专利]非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法无效
| 申请号： | 201310044113.7 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103325417A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 南尚完;朴晸埙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种用于编程包括沿多个行布置的存储单元的非易失性存储器件的方法。该编程方法包括交替地选择字线以在与所述存储单元相关联的第一页部分和第二页部分处编程数据。在编程第一页部分和第二页部分之后，该方法包括根据布置字线的次序在与所述存储单元相关联的第三页部分处编程数据。可以从邻近于地选择线的字线开始逐一顺序地选择字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 非易失性 存储系统 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种用于编程非易失性存储器单元的方法，该非易失性存储器单元包括与多条字线相关联的多电平存储单元，该方法包括：以交替的次序选择所述字线用于在与所选择的字线相关联的第一页部分和第二页部分处编程第一数据；根据所述交替的次序在与所选择的字线相关联的第一页部分和第二页部分处编程第一数据；以顺序的次序选择所述字线用于在与所选择的字线相关联的第三页部分处编程第二数据；以及根据所述顺序的次序在与所选择的字线相关联的第三页部分处编程第二数据。
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