[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置无效
申请号: | 201310041932.6 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103117284A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 秦纬;李文齐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够减少光刻工艺的次数,降低显示装置的制作成本,提高产品的良品率。该方法包括:步骤1、在基板上形成包括栅电极和栅线的图形,并在非显示区域的栅线上方第一过孔预留位置设置光刻胶;步骤2、在完成前述步骤的基板上形成TFT各功能层及数据线的图形,并在非显示区域数据线上第二过孔预留位置设置光刻胶;步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括第一像素电极的图形,然后形成钝化层;步骤4、在完成前述步骤的基板上去除第一过孔预留位置上设置的光刻胶及其上方的膜层,同时去除第二过孔预留位置上设置的光刻胶以及其上方的膜层,以形成第一过孔及第二过孔。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:步骤1、在基板上形成包括栅电极和栅线的图形,并在非显示区域的栅线上方第一过孔预留位置设置光刻胶;步骤2、在完成前述步骤的基板上形成TFT各功能层及数据线的图形,并在非显示区域数据线上方第二过孔预留位置设置光刻胶;步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括第一像素电极的图形,然后形成钝化层;步骤4、在完成前述步骤的基板上去除所述第一过孔预留位置上方设置的光刻胶及其上方的膜层,同时去除所述第二过孔预留位置上设置的光刻胶以及其上方的膜层,以形成第一过孔及第二过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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