[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310040746.0 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103117346A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;刘权 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个孔洞中沉积有荧光粉，且每个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本发明通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞，n型层位于不掺杂的GaN层上，减小了GaN层与n型层的晶格不匹配的差异，降低了n型层中的缺陷密度，有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响，提高了发光二极管的内量子效率和亮度；且孔洞中设有荧光粉，增加了发光二极管的外量子效率，提高了发光二极管亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，其特征在于，所述不掺杂的GaN层的与所述n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个所述孔洞中沉积有荧光粉，且每个所述孔洞中的所述荧光粉的厚度小于所述孔洞的深度。
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