[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明实施例提供了一种IGBT，涉及集成电路制造领域，可改善IGBT关断时拖尾电流的问题，该IGBT包括位于正面的元胞区和环绕元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，IGBT集电极区与IGBT漂移区连接并位于IGBT漂移区下方；其中，述IGBT漂移区包括位于元胞区下方的第一漂移区和位于终端区下方的第二漂移区；IGBT集电极区包括：位于第一漂移区下方的重掺杂的第二导电类型的元胞集电极区，和邻接于元胞集电极区的非导电隔离区；非导电隔离区的长度小于等于终端区的长度，非导电隔离区的厚度大于等于元胞集电极区的厚度。可降低IGBT的关断损耗，并提高关断的可靠性。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管IGBT，包括位于正面的元胞区和环绕所述元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与所述IGBT漂移区连接并位于所述IGBT漂移区下方；其中，所述IGBT漂移区包括位于所述元胞区下方的第一漂移区和位于所述终端区下方的第二漂移区；其特征在于，所述IGBT集电极区包括：位于所述第一漂移区下方的重掺杂的第二导电类型的元胞集电极区，和邻接于所述元胞集电极区的非导电隔离区；其中，所述非导电隔离区的长度小于等于所述终端区的长度，所述非导电隔离区的厚度大于等于所述元胞集电极区的厚度。