[发明专利]利用原子层沉积技术在SERS基底上制备氧化物表面的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积技术在SERS基底上制备氧化物表面的方法，通过前驱体脉冲和氧源脉冲的交替通入，在SERS表面上发生化学吸附反应使其表面形成一层氧化物薄膜。本发明通过利用ALD技术在SERS基底上制备一层厚度小于5nm的、致密的、稳定的氧化物表面，从而改善原有SERS基底的表面不均一，性能不稳定，重现性差的缺点。

主权项

利用原子层沉积技术在SERS基底上制备氧化物表面的方法，包括如下步骤：其特征在于：1）、将金属SERS基底放在ALD室内；2) 、根据沉积氧化物的种类，设置ALD沉积的工作参数；3）、以脉冲形式向ALD工作室内通入包含氧化物中心元素的ALD前驱体化合物蒸汽；4）、向ALD室内通入惰性冲洗气体去除多余的ALD前驱体化合物蒸汽；5）、以脉冲形式向ALD室内通入氧源蒸汽；6）、向ALD室内通入惰性冲洗气体脉冲去除多余的氧源蒸汽；7）、重复3至6的步骤直至SERS基底达到所需的沉积厚度；8）、根据沉积种类，调整ALD工作室温度，从ALD工作室内取出SERS基底，得到SERS基底上的氧化物表面的厚度小于5 nm。