[发明专利]平板探测器及其制作方法、摄像装置有效
申请号: | 201310024573.3 | 申请日: | 2013-01-23 |
公开(公告)号: | CN103094295A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种平板探测器及其制作方法以及设置有所述平板探测器的摄像装置,涉及摄像领域,可以在不影响像素开口率的情况下,增加存储电容,提高图像采集能力,从而有助于实现平板探测器的高分辨率。本发明所述平板探测器,包括:用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件;像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极,存储接收电荷的存储电容,以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管;存储电容包括:第一电极,包括:相对设置的上电极和下电极,且上电极与下电极电性连接;第二电极,夹设在所述上电极和下电极之间;上电极与第二电极之间,第二电极与下电极之间均设置有绝缘层或者起绝缘作用的间隔层。 | ||
搜索关键词: | 平板 探测器 及其 制作方法 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种平板探测器,包括:基板;以及设置在所述基板上,用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件;所述像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极,存储接收电荷的存储电容,以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管;其特征在于,所述存储电容包括:第一电极,包括:相对设置的上电极和下电极,且所述上电极与所述下电极电性连接;第二电极,夹设在所述上电极和所述下电极之间;所述上电极与所述第二电极之间,及所述第二电极与所述下电极之间均设置有绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的