[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置、方法及铜铟镓硒薄膜器件有效
申请号: | 201310018690.9 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN103088301A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 王文忠;王志;段东平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/06;H01L31/032 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置、方法及铜铟镓硒薄膜器件。所述装置包括石英管,所述石英管内部设有硒化单元,所述硒化单元包括通过隔热材料相连接的硒源凹槽和CIGS薄膜凹槽,两凹槽上方设有防护罩,所述防护罩与两凹槽之间形成密闭空间。将固态硒源和CIGS薄膜分别放入硒源凹槽和CIGS薄膜凹槽中,然后抽真空,加热,进行硒化处理。本发明硒化处理装置和方法具有硒蒸气泄露少、硒化效率高,可以同时处理多个样品等优点,有利于稳定、批量制备CIGS薄膜太阳能电池器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 处理 装置 方法 器件 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置,其特征在于,所述装置包括石英管(5),所述石英管(5)内部设有硒化单元,所述硒化单元包括通过隔热材料相连接的硒源凹槽(4)和CIGS薄膜凹槽(1),两凹槽上方设有防护罩(2),所述防护罩(2)与两凹槽之间形成密闭空间。
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