[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，本发明在浅沟槽隔离结构与衬底的交界处外延生长与衬底同材料的凸起，与现有技术相比较，进一步增大了器件沟道在宽度方向的面积，提高了器件的工作电流，进而降低了器件的阈值电压，因此，本发明的浅沟槽隔离结构及其制备方法降低了由于器件尺寸减小而引起的窄沟道效应对器件产生的影响；同时本发明设计巧妙、结构简单，制备工艺成熟，并与半导体工艺相兼容，易于实施。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，在衬底上生长衬垫氧化层，而后沉积硬掩膜层；2）涂布光刻胶以及曝光显影，接着刻蚀所述硬掩膜层、衬垫氧化层及衬底，在所述衬底上形成沟槽并去除光刻胶；3）在所述沟槽内热生长氧化层填充所述沟槽至所述硬掩膜层表面；4）以所述衬垫氧化层及硬掩膜层作为阻挡层，刻蚀所述沟槽中填充的氧化层直至暴露出所述氧化层两侧的部分衬底； 5）沿着所述氧化层两侧被暴露的部分衬底处外延生长与半导体衬底相同的材料，直至在所述氧化层与衬底的交界处形成凸起； 6）在所述沟槽内再进行与步骤3）相同的热生长氧化层以填充所述沟槽直至所述硬掩膜层表面；7）化学机械抛光所述步骤6）形成的结构的表面，而后去除所述衬垫氧化层及硬掩膜层，再进行湿法刻蚀直至使所述凸起暴露于所述衬底表面，此时形成于衬底中的氧化层构成浅沟槽隔离结构。