[发明专利]氮化物半导体晶片无效
| 申请号： | 201310011554.7 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103122485A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;三上英则;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体晶片，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削（倒角）、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量%的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶片，其特征在于，在外周部具有倒角部，在外周部的倒角部残留有作为晶体结构变形的层的加工变性层，所残留的所述加工变性层的厚度为0.5μm～10μm，所述外周部的倒角部的金属量为0.1at%～5at%，并且表面为镜面。
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