[发明专利]使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割有效
| 申请号： | 201280033999.9 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103650115A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 类维生;M·R·亚拉曼希里;B·伊顿;S·辛格;A·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可水溶 管芯 附接膜 激光 等离子体 蚀刻 切割 | ||
【主权项】：
一种切割包含多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路；以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而暴露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域；经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路；以及以水性溶液图案化所述可水溶管芯附接膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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