[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
申请号: | 201280021123.2 | 申请日: | 2012-04-24 |
公开(公告)号: | CN103534381A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 张守斌;小路雅弘 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社;昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C9/00;H01L31/04 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 苏萌;钟守期 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种溅射靶及其制造方法,所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分,含有Ga:1-40at%、Na:0.05-2at%,剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成;Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有,含氧量为100-1000ppm。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
溅射靶,其特征在于,作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分,含有Ga:1‑40at%、Na:0.05‑2at%,剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成,Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有,含氧量为100‑1000ppm。
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