[实用新型]一种N型透明电极结构的功率型LED芯片

摘要

本实用新型属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层和电流阻挡层上的透明导电层、P电极和形成于N型台面上的N型透明电极以及N型焊点处电极。本实用新型制作的N型透明电极能够有效地改善传统功率型芯片中大面积N电极金属对光的阻挡和吸收，提高了芯片的发光亮度。同时该实用新型还具有工艺制作简单，用透明电极取代价格昂贵的金属电极，极大地降低了生产成本。

主权项

一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于从下至上依次包括衬底、缓冲层、本征层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层上端还设有透明导电层和电流阻挡层，透明导电层和电流阻挡层均与P型半导体层接触，且电流阻挡层除上下端面外的侧面均被透明导电层包围，电流阻挡层的上端面部分被透明导电层覆盖，电流阻挡层未被透明导电层覆盖的上端面部分与P电极连接；所述N型半导体层为凸台状，凸台凸出的部分侧面周围设有N型透明电极，凸台突出的部分中间开槽，该槽被N型透明电极覆盖，并且该槽的上方的发光层、P型半导体层和电流阻挡层层均开有相应的槽，N型透明电极的周围与凸台中间开槽的交叉处设有N型焊点处电极。