[实用新型]张应变锗薄膜有效
| 申请号： | 201220679974.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203055915U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周志文 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 汪丽 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种张应变锗薄膜，包括含Ge薄膜（1）、及覆盖于所述含Ge薄膜（1）上、用于在压应变弛豫的过程中将应变转移给所述含Ge薄膜（1）、使所述含Ge薄膜（1）受到张应变的应变薄膜（2），其中，所述应变薄膜（2）的厚度大于所述含Ge薄膜（1）的厚度。其有益效果：将应变薄膜中的压应变转移到含Ge薄膜中，使应变薄膜中的压应变得到弛豫，而含Ge薄膜受到张应变；且含Ge薄膜和应变薄膜都与Si兼容；制得的张应变锗薄膜的张应变介于0.7-1.5%之间，且与Si兼容；另外，含Ge薄膜中张应变的大小可以精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 薄膜 | ||
【主权项】：
一种张应变锗薄膜，其特征在于，包括含Ge薄膜（1）、及覆盖于所述含Ge薄膜（1）上、用于在压应变弛豫的过程中将应变转移给所述含Ge薄膜（1）、使所述含Ge薄膜（1）受到张应变的应变薄膜（2），其中，所述应变薄膜（2）的厚度大于所述含Ge薄膜（1）的厚度。
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