[实用新型]机车用晶闸管有效
申请号: | 201220591207.7 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN202917496U | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 杨成标;吴拥军;张桥;刘小俐;李娴;张明辉;任丽 | 申请(专利权)人: | 湖北台基半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/06 |
代理公司: | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人: | 严崇姚 |
地址: | 441021 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型的名称为机车用晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有机车用晶闸管由于通态压降和温升较高而影响稳定性和可靠性的问题。它的主要特征是:包括管壳或塑封壳体、封装在该管壳或塑封壳体内包括阳极掺杂区P、长基区N、阴极面N型层、门极短基区P型区域构成的PNPN四层结构的半导体芯片、阳极钼片、阴极表面金属镀层、以及芯片台面保护胶层;所述PNPN四层结构半导体芯片的阳极掺杂区P表面为化学粗糙度层,且在阳极掺杂区P阳极面设有阳极P+重掺杂区,阴极面N型层设有阴极掺杂区N,形成P+PNPN+四层结构的半导体芯片。本实用新型具有高频率、长寿命、可靠性高、一致性好和成本低的特点,主要用于车用晶闸管。 | ||
搜索关键词: | 机车 晶闸管 | ||
【主权项】:
一种机车用晶闸管,包括管壳或塑封壳体、封装在该管壳或塑封壳体内包括阳极掺杂区P(1)、长基区N(2)、阴极面N型层、门极短基区P型区域(3)构成的PNPN四层结构的半导体芯片、阳极钼片(5)、阴极表面金属镀层、以及芯片台面保护胶层,其特征在于:所述的PNPN四层结构半导体芯片的阳极掺杂区P(1)表面为化学粗糙度层,且在阳极掺杂区P(1)阳极面设有阳极P+重掺杂区(8),阴极面N型层设有阴极掺杂区N(4),形成P+PNPN+四层结构的半导体芯片。
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