[实用新型]一种半导体晶粒有效
| 申请号： | 201220238260.9 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN202651207U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 刘宝成 | 申请（专利权）人： | 河南恒昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省长葛市黄河大道*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体晶粒，具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒，是一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，所述的晶粒本体外边还有碲化铷层，所述的碲化铷层的厚度是0.1～0.01毫米，这样晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87％，进一步的提高了使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶粒 | ||
【主权项】：
一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，其特征是：所述的晶粒本体外边还有碲化铷层。
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