[实用新型]一种半导体晶粒有效
| 申请号： | 201220238260.9 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN202651207U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 刘宝成 | 申请（专利权）人： | 河南恒昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省长葛市黄河大道*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶粒 | ||
【说明书】：
技术领域
本实用新型涉及一种半导体晶粒，具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒。
背景技术
致冷件是利用晶粒通电而致冷致热的，晶粒的主要成分是三碲化铋，使用时晶粒粘接在瓷板上，现有技术中，使用的晶粒没有外层结构，这样的晶粒致冷致热效率达到85％，还有待于进一步的提高。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种使致冷件转化率更高的半导体晶粒。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，其特征是：所述的晶粒本体外边还有碲化铷层。
进一步的讲，所述的碲化铷层的厚度是0.1～0.01毫米。
本实用新型的有益效果是：这样的晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87％，进一步的提高了使用效率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中：1、晶粒本体2、碲化铷层。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如图1所示，一种半导体晶粒，包括晶粒本体1，晶粒本体1是三碲化二铋，其特征是：所述的晶粒本体1外边还有碲化铷层2。
进一步的讲，所述的碲化铷层2的厚度是0.1～0.01毫米。
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