[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210593566.0 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103066033A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;汤川干央 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，本发明的目的在于提供一种可以使IC芯片、LSI芯片等半导体芯片实现进一步的薄型化的技术。此外，本发明的目的还在于提供一种在三维半导体集成电路中通过使LSI芯片更薄型化且层叠而可以提高集成密度的技术。通过利用CMP等对形成有集成电路的半导体衬底进行研磨，在半导体衬底中形成脆弱层，然后通过分离半导体衬底的一部分，来使半导体衬底薄膜化，而取得具有至今未有的薄度的IC芯片、LSI芯片等半导体芯片。此外，通过层叠这种薄型化了的LSI芯片，并利用贯穿半导体衬底的布线使它们电连接，而取得集成密度提高的三维半导体集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：其表面设置有元件形成层的第一半导体衬底；电连接到所述元件形成层且贯穿所述第一半导体衬底的第一布线；设置在第二衬底中的第二布线；以及用来粘结所述第一布线和所述第二布线的导电材料。
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