[发明专利]具有穿基板通路的半导体装置有效
| 申请号： | 201210593062.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187380B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | A·V·萨莫伊洛夫;T·帕伦特;L·Y·王 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡洪贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置描述为包括仅部分地穿入基板延伸的通路。穿基板通路（TSV）向形成于基板中的电子器件提供电互连。在实施例中，通过首先用粘合材料将半导体晶圆粘合到载体晶圆来制造半导体装置。所述半导体晶圆包括布置在晶圆内（例如，在晶圆的第一表面和第二表面之间）的蚀刻阻止部。穿入晶圆形成一个或多个通路。所述通路从第二表面延伸到蚀刻阻止部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿基板 通路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种过程，包括：用粘合材料将载体晶圆粘合到半导体晶圆的第一表面，所述半导体晶圆包括电介质层、用于使所述载体晶圆与所述半导体晶圆对准的对准标记、以及导电蚀刻阻止部，所述导电蚀刻阻止部在半导体晶圆内布置在第一表面和与第一表面相反的第二表面之间，其中所述电介质层接近导电蚀刻阻止部布置，所述电介质层被构造为用于控制一个或多个蚀刻速度；和在半导体晶圆中形成通路，所述通路延伸穿过所述半导体晶圆的一部分和所述电介质层到导电蚀刻阻止部，所述载体晶圆在通路的形成过程中为半导体晶圆提供机械支撑。
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