[发明专利]一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法有效
申请号: | 201210572072.4 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN102978592A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 杨防祖;杨丽坤;吴德印;任斌;田中群 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C23C18/32 | 分类号: | C23C18/32;C23C18/18 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法,涉及一种硅的表面处理。以硅材料作为基底,首先将基底表面进行反复洁净处理,以去除硅表面的有机物、无机物和SiO2氧化层;随后将硅材料直接浸于含有组装分子的无水乙醇溶液中并通氮气或氩气气体保护,进行硅表面分子自组装修饰;最后将经分子自组装修饰的硅材料浸入化学镀金槽内进行湿法还原反应,实现硅表面均匀湿法沉积金纳米颗粒。经过协同、紧凑处理,可以在任何形状硅基底表面上直接得到颗粒细小,分布均匀、细密的金纳米粒子;纳米粒子的粒径约为5~25nm;纳米粒子与硅基底有较好的结合力。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 湿法 沉积 纳米 颗粒 方法 | ||
【主权项】:
一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将硅表面洁净处理,并去除表面氧化层;2)硅表面分子自组装修饰;3)化学还原金。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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