[发明专利]一种LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201210571983.5 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103904180A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张戈 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片结构及其制备方法，其中LED芯片结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型层；形成在N型层之上的多量子阱层；形成在多量子阱层之上的P型层；以及形成在P型层之上的电流扩散层，其中，P型层、多量子阱层以及N型层堆叠形成倒置棱台结构。本发明的LED芯片结构发光集中、发光效率高；其形成方法具有简便易行的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片结构，其特征在于，包括： 衬底； 形成在所述衬底之上的缓冲层； 形成在所述缓冲层之上的N型层； 形成在所述N型层之上的多量子阱层； 形成在所述多量子阱层之上的P型层；以及 形成在所述P型层之上的电流扩散层， 其中，所述P型层、多量子阱层以及N型层堆叠形成倒置棱台结构。
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